MEMORIA RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4 A PAVIA

Se sei un appassionato d'informatica ed elettronica, ti piace stare al passo con la più recente tecnologia senza lasciarti sfuggire nessun dettaglio, acquista Memoria RAM PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4al miglior prezzo. Caratteristiche: Dual Memoria interna: 16 GB DDR4 Voltaggio: 1,2 V Connessione: 260-pin UDIMM 260 pin SO-DIMM Velocità: 2666 MHz Connettore: SO-DIMM Latenza: CL19 Memoria RAM: 16 GB Compatibile: Notebook Tipo: DDR4 PNY MN16GK2D42666. Componente per: Computer portatile, RAM installata: 16 GB, Layout di memoria (moduli x dimensione): 2 x 8 GB, Tipo di RAM: DDR4, Velocità memoria: 2666 MHz, Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 19 RAM installata: 16 GB Layout di memoria (moduli x dimensione): 2 x 8 GB Tipo di RAM: DDR4 Velocità memoria: 2666 MHz Componente per: Computer portatile Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM Data Integrity Check (verifica integrità dati): No Tipo di memoria tampone: Unregistered (unbuffered) Latenza CAS: 19 Canali di memoria: Dual-channel Voltaggio della memoria: 1.2 V Intel® Extreme Memory Profile (XMP): No